某某电子器件有限公司
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在高速的数据速率应用中,保护器件电容通常是一个决定性的因素(见下表)。每一个TVS二极管,像其他半导体,有一个固有电容。电容是依赖于结面积,掺杂浓度和在二极管两端的电压。反向偏置电压是负相关的装置的电容,作为反向偏压增加了设备的电容减小。作为掺杂浓度的增加,二极管的额定电压降低,并且设备的电容增大。另一方面,具有较高的电压值的设备具有更小的结电容。较大的接合面积涉及更高的电流处理能力。但作为装置或...