通信接口保护器件的电容标准

在高速的数据速率应用中，保护器件电容通常是一个决定性的因素(见下表)。每一个TVS二极管，像其他半导体，有一个固有电容。电容是依赖于结面积，掺杂浓度和在二极管两端的电压。反向偏置电压是负相关的装置的电容，作为反向偏压增加了设备的电容减小。作为掺杂浓度的增加，二极管的额定电压降低，并且设备的电容增大。另一方面，具有较高的电压值的设备具有更小的结电容。较大的接合面积涉及更高的电流处理能力。但作为装置或结尺寸增加了设备电容增大与它一起。一个的电容器的特性，是随时间变化的信号的低阻抗。的信号的频率越高，降低提供给它的电阻。因此，当一个TVS二极管是用在高数据速率的应用中，本征器件电容趋于衰减信号。因此，当该装置的电容很大，由高频信号所遭受的衰减更大,